Não esperávamos por isso. Nem nós, nem muitos dos especialistas em semicondutores que estiveram envolvidos tanto fora quanto dentro da China. Há indícios sólidos de que a Huawei já está testando o primeiro equipamento de fotolitografia ultravioleta extrema (UVE), projetado e fabricado inteiramente no território chinês, em suas instalações em Dongguan, província de Guangdong. A fotografia vazada que publicamos um pouco mais adiante neste artigo corrobora isso.
Os vazamentos afirmam que, diferentemente das máquinas UVE produzidas pela empresa holandesa ASML, este equipamento de litografia chinês utiliza uma fonte de luz ultravioleta do tipo LDP (descarga induzida por laser), e não da classe LPP (plasma gerado por laser). Presumivelmente, o desenvolvimento desta fonte de emissão de radiação ultravioleta é o marco que permitiu aos engenheiros chineses desenvolver uma máquina que muitos especialistas não viam possível antes de, no máximo, cinco anos.
No momento, o mais prudente é considerar esta informação com cautela, mas ela parece sólida o suficiente para ser mencionada. Uma observação interessante é que, no papel, a fonte LDP é capaz de gerar luz UVE com comprimento de onda de 13,5 nm, portanto, este protótipo chinês deve ser capaz de competir de igual para igual com as máquinas de fotolitografia UVE da ASML. Além disso, vazamentos afirmam que a China iniciará a produção de mais máquinas de teste durante o terceiro trimestre deste ano, com o objetivo de iniciar a fabricação em larga escala desses equipamentos em 2026.
Porque os equipamentos de fotolitografia UVE são tão importantes para a China
Sanções impostas pelos EUA e seus aliados impedem a ASML de fornecer seus equipamentos mais sofisticados de fabricação de circuitos integrados para seus clientes chineses. Suas máquinas UVE pertencem a essa categoria. As empresas chinesas Huawei e SMIC conseguiram produzir chips de 7 nm usando as máquinas de litografia ultravioleta profunda (UVP) da ASML que possuem, mas para tornar isso possível, tiveram que recorrer a uma técnica conhecida como padronização múltipla.
Essa técnica consiste, em linhas gerais, na transferência do padrão para o wafer em várias passagens, a fim de aumentar a resolução do processo litográfico. Funciona, mas apresenta dois grandes problemas: torna os chips significativamente mais caros e reduz a capacidade de produção. Além disso, presumivelmente não permitirá ultrapassar 5 nm. Os fabricantes chineses de circuitos integrados têm se voltado para a produção de chips maduros para sustentar seus negócios, mas essa estratégia não permitirá que a China concorra em igualdade de condições com os EUA e seus aliados.
Uma observação importante: semicondutores maduros são comumente produzidos em nós de 28 nm ou menos avançados e são usados em eletrodomésticos, automóveis e eletrônicos de consumo. A China precisa produzir chips com 3 nm ou com tecnologias de integração ainda mais avançadas para adquirir a capacidade de desenvolver semicondutores comparáveis aos mais sofisticados atualmente fabricados pela TSMC, Intel, Samsung ou SK Hynix. A competitividade da Huawei, SMIC e outras empresas está em jogo.
Se essa informação for finalmente confirmada e a China tiver suas máquinas UVE comerciais em 2026, terá dado um passo crucial em sua batalha com os EUA. Mesmo assim, a ASML continuará a ter os melhores equipamentos de litografia: as máquinas UVE de alta abertura que a Intel já está testando e que provavelmente serão verificadas em breve pela TSMC e pela Samsung.
Imagem | ASML
Saiba mais | Wccftech
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